Parametro Tecnico
Configurazione comandata
High-Side or Low-Side
Tipo di canale
Independent
Tipo di gate
N-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione
10V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH
0.7V, 2.2V
Corrente - Uscita di picco (source, drain)
1A, 1A
Tipo di ingresso
Inverting
Tensione high-side - Max (bootstrap)
200 V
Tempo di salita/discesa (tip.)
35ns, 20ns
Temperatura di funzionamento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Contenitore/involucro
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Contenitore del fornitore
8-PDIP
