Parametro Tecnico
Configurazione comandata
Low-Side
Tipo di gate
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione
8.5V ~ 35V
Tensione logica - VIL, VIH
0.8V, 3.5V
Corrente - Uscita di picco (source, drain)
30A, 30A
Tipo di ingresso
Non-Inverting
Tensione high-side - Max (bootstrap)
-
Tempo di salita/discesa (tip.)
18ns, 16ns
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Contenitore del fornitore
TO-263-5
