Parametro Tecnico
Configurazione comandata
Low-Side
Tipo di gate
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione
4.5V ~ 35V
Tensione logica - VIL, VIH
0.8V, 3V
Corrente - Uscita di picco (source, drain)
9A, 9A
Tipo di ingresso
Non-Inverting
Tensione high-side - Max (bootstrap)
-
Tempo di salita/discesa (tip.)
22ns, 15ns
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Contenitore del fornitore
8-SOIC-EP
