Parametro Tecnico
Configurazione comandata
Half-Bridge
Tipo di canale
Independent
Tipo di gate
IGBT, N-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione
10V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH
5V, 9.5V
Corrente - Uscita di picco (source, drain)
2.5A, 2.5A
Tipo di ingresso
Non-Inverting
Tensione high-side - Max (bootstrap)
600 V
Tempo di salita/discesa (tip.)
15ns, 13ns
Temperatura di funzionamento
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Contenitore del fornitore
16-SOIC
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