Parametro Tecnico
Configurazione comandata
Half-Bridge
Tipo di canale
Independent
Tipo di gate
N-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione
9V ~ 16V
Tensione logica - VIL, VIH
3V, 8V
Corrente - Uscita di picco (source, drain)
2A, 2A
Tipo di ingresso
Non-Inverting
Tensione high-side - Max (bootstrap)
118 V
Tempo di salita/discesa (tip.)
400ns, 400ns
Temperatura di funzionamento
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Contenitore/involucro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
