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APTGT50DA170T1G
APTGT50DA170T1G
Obsolete
Descrizione:  IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP1
Fabbricante:  Microsemi Corporation
Prezzo Storico: Obsolete
Disponibile: 7690
APTGT50DA170T1G vs APTGT75DA170D1G
Serie
-
-
Imballaggio
Bulk
Bulk
Stato
Obsolete
Obsolete
Tipo di IGBT
Trench Field Stop
Trench Field Stop
Configurazione
Single
Single
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
1700 V
1700 V
Corrente - Collettore (Ic) max
75 A
120 A
Potenza - Max
312 W
520 W
Vce(on) max a Vge, Ic
2.4V @ 15V, 50A
2.4V @ 15V, 75A
Corrente - Interruzione collettore (max)
250 μA
5 mA
Capacità di ingresso (Cies) a Vce
4.4 nF @ 25 V
6.5 nF @ 25 V
Ingresso
Standard
Standard
Termistore NTC
Yes
No
Temperatura di funzionamento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Chassis Mount
Contenitore/involucro
SP1
D1
Contenitore del fornitore
SP1
D1